ในด้านของเซมิคอนดักเตอร์ ไดโอดไม่เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการตัดเมื่อเป็นแบบย้อนกลับ เมื่อได้รับแรงดันย้อนกลับ จะมีกระแสรั่วเล็กน้อยจากแคโทดไปยังแอโนด กระแสนี้มักจะมีขนาดเล็กมากและยิ่งแรงดันเคาน์เตอร์สูง กระแสไฟรั่วก็จะยิ่งสูงขึ้น และอุณหภูมิก็จะสูงขึ้น กระแสไฟรั่วก็จะยิ่งสูงขึ้น กระแสไฟฟ้ารั่วจำนวนมากส่งผลให้เกิดการสูญเสียจำนวนมาก โดยเฉพาะอย่างยิ่งในการใช้งานไฟฟ้าแรงสูง
สาเหตุ: จากโครงสร้างภายในของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ สนามไฟฟ้าย้อนกลับ E ที่สร้างขึ้นโดยแรงดันย้อนกลับที่ใช้ในพื้นที่กั้นที่มีศักยภาพของทางแยก PN ที่มากกว่าสนามไฟฟ้า E ที่เกิดจากประจุที่กระจายอยู่ในศักย์ พื้นที่กั้น ส่งผลให้กระแสไฟรั่วย้อนกลับผ่านทางแยก PN ความบางของพื้นที่กั้นและขนาดของแรงดันย้อนกลับที่ใช้ร่วมกันกำหนดขนาดของกระแสไฟรั่ว
ในชิปเลเซอร์ ซึ่งเป็นไดโอดชนิดหนึ่ง เมื่อใช้อคติไปข้างหน้ากับขั้วของมัน อิเล็กตรอนจะไหลจาก N ไปยังบริเวณแอกทีฟ แต่ยังมีอิเล็กตรอนบางตัวที่มีพลังงานมากพอที่จะรั่วไหลออกจากบริเวณแอกทีฟและไหลไปยัง บริเวณ P และกระแสเหล่านี้ที่ไหลไปยัง P เรียกว่ากระแสไฟรั่ว กระแสไฟรั่วสามารถแบ่งออกเป็นสองส่วน ส่วนหนึ่งตามที่อธิบายไว้ข้างต้น และอีกส่วนหนึ่งมีพลังงานความร้อนเพียงพอจนเกินขีดจำกัดที่อาจเกิดขึ้น ส่วนอื่นๆ เกิดจากอิเล็กตรอนจำนวนเล็กน้อยภายในพลังงาน P ทะลุผ่านหรือล่องลอยเข้าไปในพื้นที่สัมผัส P ทำให้เกิดกระแสไฟฟ้ารั่ว กระแสไฟรั่วไม่ก่อให้เกิดการเรืองแสงและทำให้ประสิทธิภาพควอนตัมภายในของอุปกรณ์มีประสิทธิภาพน้อยลงเท่านั้น นอกจากนี้ยังมีความไวต่ออุณหภูมิมาก และกระแสไฟรั่วจะเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วเมื่ออุณหภูมิสูงขึ้น
นอกจากนี้ สำหรับเลเซอร์ความยาวคลื่นสั้นยังมีแนวโน้มที่จะเกิดการรั่วไหลได้ง่ายกว่าเลเซอร์ความยาวคลื่นที่ยาวกว่า
ดังที่แสดงไว้ข้างต้น ความแตกต่างของช่องว่างพลังงานระหว่างแถบนำไฟฟ้าของชิป AlGaIn phosphide ที่มีความยาวคลื่น 690nm คือ 400meV แต่ความแตกต่างระหว่าง AlGaIn phosphide ที่มีความยาวคลื่น 650nm นั้นอยู่ที่ 320meV เท่านั้น ทำให้อิเล็กตรอนหลุดรอดออกไปได้ง่ายขึ้น หลายวิธีในการลดการรั่วไหลของ AlGaN phosphide ที่มีความยาวคลื่นสั้น: 1) เพิ่มความเข้มข้นของยาสลบของ P-cladding การเพิ่มความแตกต่างของช่องว่างพลังงานนำไฟฟ้าทำให้อิเล็กตรอนข้ามศักย์ได้ยากขึ้น 2) การเพิ่มจำนวนของหลุมควอนตัมทำให้สามารถรองรับพาหะได้มากขึ้นและลดการรั่วไหลในปัจจุบัน เมื่อจำนวนหลุมควอนตัมเพิ่มขึ้น จะต้องฉีดกระแสมากขึ้นเพื่อสร้างเลเซอร์ และทำให้กระแสวิกฤตเพิ่มขึ้น
