เมื่อเร็ว ๆ นี้กลุ่ม AGC และมหาวิทยาลัยโตเกียวในญี่ปุ่นร่วมกันพัฒนาวิธีการใหม่ที่ช่วยให้การประมวลผลเลเซอร์ของวัสดุโปร่งใสเช่นแก้วที่ความเร็วเร็วกว่าวิธีการทั่วไป 1 ล้านเท่า ผลลัพธ์ได้รับการตีพิมพ์ออนไลน์ในวารสารวิทยาศาสตร์อเมริกันความก้าวหน้าทางวิทยาศาสตร์ในวันที่ 11 มิถุนายน 2568
ในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมาด้วยการใช้ AI ที่แพร่หลายอย่างกว้างขวางจำนวนการประมวลผลข้อมูลได้เพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่องซึ่งนำไปสู่ความต้องการที่เพิ่มขึ้นสำหรับพลังงานที่เร็วขึ้นและมากขึ้น - เซมิคอนดักเตอร์ที่มีประสิทธิภาพ ดังนั้นแนวโน้มในการใช้พื้นผิวแก้วด้วยความแข็งแกร่งและความเรียบที่ยอดเยี่ยมของพวกเขาเป็นสารตั้งต้นบรรจุภัณฑ์สำหรับชิปเซมิคอนดักเตอร์ได้กลายเป็นที่เด่นชัดมากขึ้น
ภาพของรู - จำนวนมากที่ถูกตัดเฉือนบนพื้นผิวแก้วที่ Ultra - ความเร็วสูง (Hole pitch 100 microns)
ปัจจุบันสารตั้งต้นของแก้วจะถูกประมวลผลเป็นหลักโดยใช้การระเหยด้วยเลเซอร์หรือการแกะสลักด้วยเลเซอร์ อย่างไรก็ตามอดีตคือเวลา - การบริโภคในขณะที่หลังนำเสนอความท้าทายเช่นผลกระทบต่อสิ่งแวดล้อมสูงเนื่องจากการกำจัดน้ำเสีย ในการวิจัยร่วมนี้โดยการฉายผิวกระจกด้วยเลเซอร์สองตัวที่มีความกว้างพัลส์ที่แตกต่างกันในมุมหนึ่งพวกเขาประสบความสำเร็จในการเพิ่มความเร็วในการประมวลผลเป็นหนึ่งล้านเท่าของการระเหยด้วยเลเซอร์ วิธีการในการประมวลผลความเร็วสูง - นี้ของพื้นผิวแก้วโดยใช้เลเซอร์เท่านั้นที่มีประสิทธิภาพและเป็นมิตรกับสิ่งแวดล้อมน้อยกว่าวิธีการที่มีอยู่และถือเป็นสัญญาที่ยอดเยี่ยมสำหรับการใช้งานจริงในอนาคตในสนามเซมิคอนดักเตอร์
