เมื่อเร็ว ๆ นี้ห้องปฏิบัติการ Jiufengshan ประสบความสำเร็จอย่างมีนัยสำคัญทางเทคโนโลยีในด้านวัสดุของอินเดียมฟอสฟอรัส (INP) ประสบความสำเร็จในการพัฒนากระบวนการเจริญเติบโตของ epitaxial สำหรับ 6 - นิ้ว INP - เครื่องตรวจจับโครงสร้างพินและโครงสร้าง FP ตัวบ่งชี้ประสิทธิภาพที่สำคัญได้ถึงระดับนำในระดับสากล ความสำเร็จนี้นับเป็นความสำเร็จในประเทศครั้งแรกในด้านการผลิตวัสดุในขนาดใหญ่ของวัสดุการผลิตที่ได้รับการประสานงานจากอุปกรณ์หลักไปจนถึงวัสดุสำคัญซึ่งให้การสนับสนุนที่สำคัญสำหรับการพัฒนาอุตสาหกรรมของอุปกรณ์ออพโตอิเล็กทรอนิกส์
ในฐานะที่เป็นวัสดุหลักในการสื่อสารด้วยแสงการคำนวณควอนตัมและสาขาอื่น ๆ การประยุกต์ใช้อุตสาหกรรมของ INP ได้เผชิญหน้ากับคอขวดทางเทคนิคมานานในการผลิตขนาดใหญ่ - กระบวนการกระแสหลักของอุตสาหกรรมยังคงอยู่ในขั้นตอน 3 นิ้วและค่าใช้จ่ายสูงทำให้ไม่สามารถตอบสนองการเติบโตของแอพพลิเคชั่นอุตสาหกรรมปลายน้ำ
การใช้ประโยชน์จากอุปกรณ์ MOCVD ในประเทศและเทคโนโลยีสารตั้งต้น INP ห้องปฏิบัติการ Jiufengshan ได้เอาชนะความท้าทายในการควบคุมขนาดใหญ่ - สเกลความสม่ำเสมอของ epitaxial และพัฒนากระบวนการเติบโต epitaxial ครั้งแรกสำหรับ 6 {{2} ตัวชี้วัดประสิทธิภาพที่สำคัญได้ถึงระดับนำในระดับสากลซึ่งวางรากฐานสำหรับการผลิตชิปอินเดียนเนียมฟอสฟอรัสขนาด 6 นิ้ว (INP) ชิป
คุณสมบัติของวัสดุ:
• FP Laser Quantum Welle ความยาวคลื่นการปล่อย PL ภายในชิปมีใน - ส่วนเบี่ยงเบนมาตรฐานชิปของชิปของ<1.5nm, and composition and thickness uniformity is <1.5%.
•ความเข้มข้นพื้นหลังของวัสดุเครื่องตรวจจับพินคือ<4×10¹⁴cm⁻³, and mobility is >11,000 cm²/v · s
ทีมกระบวนการ Epitaxial ของ Jiufengshan
เมื่อเทียบกับการพัฒนาอย่างรวดเร็วของอุตสาหกรรมออปโตอิเล็กทรอนิกส์ทั่วโลกความต้องการอินเดียมฟอสฟอรัส (INP) ในการสื่อสารด้วยแสง, LiDAR, Terahertz Communications และสาขาอื่น ๆ กำลังประสบกับการเติบโตของระเบิด จากข้อมูลของ Yole Développementตลาด Optoelectronics INP คาดว่าจะสูงถึง 5.6 พันล้านเหรียญสหรัฐในปี 2570 โดยมีอัตราการเติบโตต่อปี (CAGR) 14% การพัฒนาในกระบวนการอินเดียมฟอสเฟตขนาด 6 นิ้ว (INP) คาดว่าจะลดค่าใช้จ่ายของชิปออปติคัลในประเทศเป็น 60% -70% ของกระบวนการ 3 นิ้วซึ่งช่วยเพิ่มความสามารถในการแข่งขันของชิปออปติคัลในประเทศ
