เมื่อเร็วๆ นี้ ทีมวิจัยจาก State Key Laboratory of Strong-Field Laser Physics, Shanghai Institute of Optics and Precision Machinery (SIPM) ของ Chinese Academy of Sciences (CAS) ร่วมมือกับ Hangzhou Institute of Advanced Studies (HIAS) แห่งชาติ University of Science and Technology (NUST) และ Huazhong University of Science and Technology (HUST) มีความก้าวหน้าในการวิจัยการถ่ายภาพเลเซอร์แบบสุ่มโดยไม่กระเจิงบนคาลโคเจนไนด์ที่ระเหยด้วยความร้อน และผลลัพธ์ที่เกี่ยวข้องได้สรุปไว้ในหัวข้อ "Thermally" MAPbBr3 ที่ระเหย ผลลัพธ์ถูกตีพิมพ์ใน ACS Photonics ภายใต้ชื่อ "Thermally Evaporated MAPbBr3 Perovskite Random Laser พร้อมการปรับปรุงการถ่ายภาพเลเซอร์ที่ปราศจากจุด"
วัสดุชาลโคเจนไนด์มีคุณสมบัติการรับแสงที่ดีเยี่ยมและมีแนวโน้มที่ดีสำหรับการใช้งานด้วยเลเซอร์ การสะสมของการระเหยด้วยความร้อนซึ่งเป็นเทคโนโลยีการเคลือบที่ใช้กันอย่างแพร่หลายในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ เป็นหนึ่งในแนวโน้มทางเทคโนโลยีสำหรับการผลิตอุปกรณ์ chalcogenide ขนาดใหญ่ในเชิงพาณิชย์ อย่างไรก็ตาม การตกผลึกอย่างรวดเร็วและไม่สามารถควบคุมได้ของวัสดุ chalcogenide ในระหว่างการระเหยด้วยความร้อนทำให้เกิดข้อบกพร่องมากมายในฟิล์ม chalcogenide ซึ่งส่งผลกระทบอย่างมากต่อประสิทธิภาพของเลเซอร์ของฟิล์ม chalcogenide
เพื่อแก้ไขปัญหาข้างต้น นักวิจัยได้เสนอให้ชะลออัตราการตกผลึกและแก้ไขข้อบกพร่องโดยการใช้สารเติมแต่ง triphenylphosphine ออกไซด์ (TPPO) ของ Lewis ซึ่งเป็นสารเติมแต่งแบบมัลติฟังก์ชั่น และสุดท้ายก็เตรียมฟิล์มบาง chalcogenide ที่มีการเรืองแสงด้วยแสงเพิ่มขึ้นและเกือบ {{0 }}การปรับปรุงค่าสัมประสิทธิ์การรับแสงเพิ่มขึ้นเท่าตัว สเปกโทรสโกปีแบบโฟโตลูมิเนสเซนซ์ที่ขึ้นกับพลังงานยืนยันการลดลงของข้อบกพร่องของฟิล์ม และผลสเปกโทรสโกปีการดูดกลืนแสงชั่วคราวบ่งชี้ว่าคุณสมบัติการเรืองแสงที่เพิ่มขึ้นนั้นเกิดจากการเพิ่มประสิทธิภาพของกระบวนการสร้างสารเชิงซ้อนแบบไบโมเลกุล จากคุณสมบัติการเรืองแสงที่ยอดเยี่ยมเหล่านี้ นักวิจัยได้สำรวจประสิทธิภาพการสุ่มตัวอย่างของฟิล์ม chalcogenide ที่ระเหยด้วยความร้อน และพบว่าเกณฑ์การสุ่มสุ่มของฟิล์มหลังจากการแนะนำ TPPO นั้นน้อยกว่าฟิล์มต้นฉบับอย่างมาก ในขณะเดียวกัน นักวิจัยได้ใช้ฟิล์มคาลโคเจนไนด์ที่ระเหยด้วยความร้อนเป็นครั้งแรกในการถ่ายภาพโดยปราศจากการกระเจิงด้วยเลเซอร์ และเมื่อใช้เลเซอร์สุ่มที่สร้างโดยฟิล์มที่ผ่านการกรองเป็นแหล่งกำเนิดแสง ภาพที่ได้จะมีคอนทราสต์ของการกระเจิงที่ต่ำกว่า (0.046) และสูงกว่า อัตราส่วนคอนทราสต์ต่อสัญญาณรบกวน (8.218) ซึ่งให้ประสิทธิภาพการถ่ายภาพที่ยอดเยี่ยม
การศึกษาครั้งนี้จะให้แนวคิดใหม่สำหรับการผลิตวัสดุและอุปกรณ์ chalcogenide ขนาดใหญ่ และมีส่วนช่วยในการพัฒนาฟิล์ม chalcogenide ที่ระเหยด้วยความร้อนสำหรับการขยายรังสีที่เกิดขึ้นเองและการประยุกต์ใช้การถ่ายภาพด้วยเลเซอร์
รูปที่ 1 การถ่ายภาพเลเซอร์สุ่มโดยไม่กระเจิงในฟิล์มบางของคาลโคเจนไนด์
